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IOD-FMB-18001模块是应用超低噪声平方律检测的理想选择。获得的电压灵敏度在300GHz时高达2MV/W，在1THz时高达0.2MV/W。
噪声等效功率（NEP）估计在300GHz时低至5.0pW/Hz0.5，在1THz时低至45pW/Hz 0.5。
Femi-level managed barrier（FMB）二极管模块是一种基于InP/InGaAs异质结构的超低噪声太赫兹探测器。代替肖特基势垒二极管（SBD）中的金属/半导体界面，在FMB二极管中使用InGaAs/InP异质界面（势垒高度～100meV）。
此低势垒高度提供低二极管差分电阻（Rd）以及二极管与宽带蝴蝶结天线之间的良好阻抗匹配。
异质势垒结构由n-InGaAs、未掺杂的InP和n-InP层组成。由于高掺杂n-InGaAs中的费米能级可以远高于导带边缘，这取决于载流子密度，异质界面处的势垒高度（ΦBn）可以降低到100meV或更小。由于低势垒高度，FMB二极管产生约5.0pW/Hz0.5的良好NEP。
噪声等效功率（NEP）：
电压灵敏度：
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