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通过优化半导体芯片结构和光学参数，DILAS T-Bar架构使用标准微光学快轴准直器（FAC）和慢轴准直器，所有这些都采用自动化工艺组装，提供高光束质量和高功率。T-Bar是一种单片多发射器源，允许在每个制造步骤中处理多个发射器，以降低复杂性并简化制造。其结果是提高了再现性、光束质量和光纤耦合效率。
产地：美国
操作模式：脉冲
技术：固态
光谱：可调谐
波长（FWHM）：806,7nm
线条宽度：1.8nm
温度：25.0℃
电流：32.7 A
中心波长容差：±3 nm
输出功率：30 W
边坡效率：>0.80 W/A
波长温度系数：~0.27nm/°C
数值孔径：0.22 NA
纤维芯直径：200 µm
带独立光纤头的光纤连接器：HP-SMA 905
功率转换效率：> 38%
阈值电流（Im）：< 9 A
工作电流（Iop）：< 50 A
运算电压（Vop）：<1.9 V
工作温度：+20至+30°C
储存温度：0至+55°C
推荐散热器容量：>70 W
