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TopGaN二极管TG 418-S.pdf下载
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TopGaN 正在制造发射光谱范围从 400nm 到 461nm 的激光二极管，精度为 +/-2nm。也可根据需要提供 +/-1nm 的精度。这些器件采用 5.6 mm (TO-56) 封装的可见光和紫外激光二极管，氮化蓝紫色激光二极管的工作电流密度相对较高，为 5-10 kA/cm2。这些二极管的衰减主要是通过其阈值电流的增加而发生的。
光学输出功率：50mW（Tcase= 20°C）
峰值波长：418 +/- 2 nm @RT
用于 Cw 和脉冲操作的辐射源
单横向模式半导体激光器
产地：波兰
允许反向电流：1 uA
PD 反向电压：5 V
存储温度：- 10 至 85 °C
工作外壳温度：0 至 60 °C
光输出功率：50 mW
峰值波长：418 +/-2 nm
阈值电流：30 至 60 mA
工作电流：90 至 130 mA
温度波长偏移：0.05 nm/deg
光束发散 - 快轴：32 °
光束发散 - 慢轴：7 °
量子技术和传感应用
