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Lumentum APD 芯片是一种基于磷化铟 (InP) 的器件，设计用于高达 11.3 Gbps 的高性能电信接收器应用。 通过提供 30 μm 孔径的环形触点，通过中央有源区的顶部照明接收光信号。
P（阳极）和 N（阴极）触点在有源区上施加反向电偏压。 圆形 P 键合焊盘的直径为 70 微米，适用于引线键合。
APD 适用于以 M3 和 M10 之间的倍增增益因子以高达 11.3 Gbps 的速度运行。
性能通过包括 DC、CV 和 AC 测试测量的晶圆测试来检查。
<1FIT 的可靠性源自超过 400 亿个现场小时。
Telcordia ESD 等级：min. 500 V型号。
击穿电压（在黑暗中，Id=10 µA）Vbr：-26…-32 V
暗电流（在黑暗中，Vbr * 0.9） Id9：50 毫安
3dB 带宽，M=10（10 µW 入射 1550 nm，I=100 µA）BWM10 ：6.0 GHz
3dB 带宽，M=3（10 µW 入射 1550 nm，I=30 µA）BWM3：6.0 GHz
响应度 （10 µW，1550 nm）R：1.0 A/W
在固定电压下（（VM3 和 VM10，Popt = 10µW，λ=1550 nm）1610 nm 时的电流比
）R1610/R1550：0.75
1300 nm 与 1550 nm 的响应率比（在固定电压下（VM3 和 VM10，Popt =10 µW, λ=1550 nm) 时的电流比）R1300/R1550：0.70
Vbr 温度系数（-40 至 +85°C）dVbr/dT：0.040 …0.061 Vdeg-1
总电容（At Vbr * 0.9）C：0.22…0.25 pF
光过载（M3）Povld：-2 dBm
长途网络
单模数据通信和电信
10G PON
